[发明专利]烧结钕铁硼磁体的制备方法在审
| 申请号： | 201710138636.6 | 申请日： | 2017-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN106992051A | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 汤密军 | 申请（专利权）人： | 京磁材料科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;B22F3/10;B22F3/24 |
| 代理公司： | 北京远大卓悦知识产权代理事务所(普通合伙)11369 | 代理人： | 史霞 |
| 地址： | 101300 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种烧结钕铁硼磁体的制备方法，其包括以下步骤将烧结后的钕铁硼磁体毛坯自然冷却至400℃‑700℃后，通入保护气体进行淬火冷却。裂纹合格率从83％提高到100％，成本明显减低，同时不会影响其他性能。 | ||
| 搜索关键词： | 烧结 钕铁硼 磁体 制备 方法 | ||
【主权项】：
烧结钕铁硼磁体的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：将烧结后的钕铁硼磁体毛坯自然冷却至400℃‑700℃后，通入保护气体进行淬火冷却。
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