[发明专利]高饱和集成波导探测器在审
| 申请号： | 201710140195.3 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106972070A | 公开（公告）日： | 2017-07-21 |
| 发明（设计）人： | 夏金松;宋金汶 | 申请（专利权）人： | 武汉拓晶光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232 |
| 代理公司： | 长沙星耀专利事务所43205 | 代理人： | 许伯严 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区高*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公布了一种高饱和集成波导探测器，本发明在传统集成波导探测器的基础上，加入导光波导，从导光波导一端入光，通过耦合方式进入探测器中，由于导光波导中的光是慢慢耦合过去的，这便可以抑制探测器吸收区空间电荷屏蔽现象，从而避免功率过大的信号光导致探测器光电流饱和；导光波导与上波导层之间的首尾两端的间距可调，从而优化耦合的效率，同时可以使导光波导前端间距较大，后端间距较小，来抑制前端峰值，更加有效提高探测器的光电流饱和度。 | ||
| 搜索关键词： | 饱和 集成 波导 探测器 | ||
【主权项】：
一种高饱和集成波导探测器，其包括上波导层(1)和下波导层(2)，所述上波导层(1)包括层叠设置的N型掺杂层(11)和Si晶体层(12)，下波导层(2)包括P型掺杂层(21)和硅衬底(22)，所述Si晶体层(12)和P型掺杂层(21)表面相互接触，N型掺杂层(11)和P型掺杂层(21)表面分别设置有金属电极(3)，其特征在于：还包括一导光波导(4)，所述导光波导(4)与上波导层(1)相互耦合。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
