[发明专利]半导体装置

摘要

半导体装置包含积层体、柱状部、第一电荷蓄积部、及第二电荷蓄积部。所述积层体包含多个电极层，所述多个电极层介隔绝缘体沿着第一方向积层在衬底上或形成在衬底上的周边电路上所形成的平坦的源极线上。所述多个电极层包含第一电极层、及设置在所述第一电极层与所述衬底之间的第二电极层。所述柱状部在所述积层体内沿着所述第一方向延伸。所述第一电荷蓄积部设置在所述第一电极层与所述柱状部之间。所述第二电荷蓄积部设置在所述第二电极层与所述柱状部之间。所述第一电极层与所述柱状部之间的所述第一电荷蓄积部沿着与所述第一方向交叉的第二方向的第一长度比所述第二电极层与所述柱状部之间的所述第二电荷蓄积部沿着所述第二方向的第二长度长。

主权项

一种半导体装置，其特征在于具备：积层体，包含多个电极层，所述多个电极层介隔绝缘体沿着第一方向积层在衬底上或形成在衬底上的周边电路上所形成的平坦的源极线上，且所述多个电极层包含第一电极层、及设置在所述第一电极层与所述衬底之间的第二电极层；柱状部，在所述积层体内沿着所述第一方向延伸；第一电荷蓄积部，设置在所述第一电极层与所述柱状部之间；及第二电荷蓄积部，设置在所述第二电极层与所述柱状部之间；且所述第一电极层与所述柱状部之间的所述第一电荷蓄积部沿着与所述第一方向交叉的第二方向的第一长度比所述第二电极层与所述柱状部之间的所述第二电荷蓄积部沿着所述第二方向的第二长度长。