[发明专利]MEMS器件和MEMS真空扩音器有效
| 申请号： | 201710141204.0 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107176584B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | A.德赫;G.梅茨格-布吕克尔;J.施特拉泽;A.瓦尔特 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B3/00 | 分类号： | B81B3/00;H04R19/04 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 孙鹏;杜荔南<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | MEMS器件和MEMS真空扩音器。根据实施例，MEMS器件包括第一膜元件；与第一膜元件间隔开的第二膜元件；在第一和第二膜元件之间的低压区域，所述低压区域具有小于环境压强的压强；以及包括导电层的反电极结构，所述导电层被至少部分地布置在低压区域中或在低压区域中延伸。导电层包括在导电层的第一部分和导电层的第二部分之间提供电隔离的分段。 | ||
| 搜索关键词： | mems 器件 真空 扩音器 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS器件，包括：/n第一膜元件；/n第二膜元件，与所述第一膜元件间隔开；/n低压区域，在所述第一膜元件和第二膜元件之间，所述低压区域具有小于环境压强的压强；以及/n包括导电层的反电极结构，所述导电层被至少部分地布置在所述低压区域中或在所述低压区域中延伸，其中所述导电层包括在所述导电层的第一部分和所述导电层的第二部分之间提供电隔离的分段。/n
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