[发明专利]一种层状Cu/Ag‑Ti2AlN电接触复合材料及其制备方法在审
申请号: | 201710142856.6 | 申请日: | 2017-03-10 |
公开(公告)号: | CN107134376A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 朱刚;谢明;贾海龙;陈家林;刘满门;李再久 | 申请(专利权)人: | 昆明贵金属研究所 |
主分类号: | H01H1/021 | 分类号: | H01H1/021;B22F7/04;B22F3/18;B22F3/20;B22F3/10 |
代理公司: | 昆明今威专利商标代理有限公司53115 | 代理人: | 赛晓刚 |
地址: | 650106 云南省昆明*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种层状Cu/Ag‑Ti2AlN电接触复合材料及其制备方法,属于金属功能材料技术领域,其特征在于横截面是由铜层(1)和复合在铜层上的Ag‑Ti2AlN层(2)相互叠合形成的多层结构,其中Ag‑Ti2AlN层(2)为含3‑20%的Ti2AlN三元陶瓷、余量为银的复合材料。本发明所述材料由于特殊的多层结构以及Ti2AlN三元陶瓷的添加,使其在保持高导电性、导热性、高耐磨性和抗电弧侵蚀性的同时,大幅度地降低了贵金属银的用量,可广泛适用于低压电器用触头材料,具有良好的产业化前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 层状 cu ag ti2aln 接触 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种层状Cu/Ag‑Ti2AlN电接触复合材料,其特征在于:横截面是由Cu层(1)和复合在Cu层上的Ag‑Ti2AlN层(2)相互叠合形成的多层结构,其中Ag‑Ti2AlN层(2)为含3‑20%的Ti2AlN三元陶瓷、余量为Ag的复合材料,Cu层与Ag‑Ti2AlN层的总层数为30~200层。
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