[发明专利]晶圆级扇出型封装件及其制造方法在审
| 申请号： | 201710144202.7 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN106876290A | 公开（公告）日： | 2017-06-20 |
| 发明（设计）人： | 张鹏 | 申请（专利权）人： | 三星半导体（中国）研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司11286 | 代理人： | 刘灿强,尹淑梅 |
| 地址： | 215021 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供了一种晶圆级扇出型封装件及其制造方法。制造晶圆级扇出型封装件的方法包括准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。在制造晶圆级扇出型封装件的方法中，通过在形成包封层之后形成被动元件，使得能够避免在形成包封层时由于包封层的材料的热膨胀而引起的被动元件的相对位置发生偏移的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级扇出型 封装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造晶圆级扇出型封装件的方法，其特征在于，所述方法包括：准备具有凸起的基体基底；将芯片设置在基体基底的凸起所处的表面上，并且使芯片与凸起分开布置；在基体基底上形成包封层，以包封芯片和凸起；去除基体基底，以暴露芯片的表面并且在包封层中形成与凸起对应的凹进；以及将被动元件设置在凹进中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
