[发明专利]一种钙掺杂氢氧化钴纳米片电极材料及其制法和在制备超级电容器中的应用在审
| 申请号： | 201710144721.3 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN107068421A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | 田正芳;解明江;张万举;王永正;沈宇;郭学锋 | 申请（专利权）人： | 黄冈师范学院 |
| 主分类号： | H01G11/86 | 分类号： | H01G11/86;H01G11/32;H01G11/36 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所32207 | 代理人： | 黄嘉栋 |
| 地址： | 438000 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种薄片状钙掺杂氢氧化钴电极材料的制备方法，它是将50ml浓度为15‑30g/L的氢氧化钙浆料和50ml浓度为0.2‑0.5mol/L的钴离子溶液混合发生离子交换反应，将搅拌后的后的混合体系进行过滤，洗涤并在80℃烘干即得到钙掺杂的氢氧化钴。该方法得到钙掺杂的氢氧化钴材料作为电极材料应用于超级电容器储能具有比普通方法制备的氢氧化钴更优异的电容性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 氢氧化 纳米 电极 材料 及其 制法 制备 超级 电容器 中的 应用 | ||
【主权项】：
一种薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料的制备方法，其特征是它包括下列步骤：步骤1将氢氧化钙粉体通过搅拌分散在水里，形成氢氧化钙的浆料，最终得到的浆料的浓度为15‑30g/L；步骤2、称取可溶性钴盐作为前体，并将其溶解于水和乙醇的混合溶剂中得到含钴的前体溶液，所制备的前体溶液中钴离子的浓度为0.2‑0.5mol/L；步骤3、将50ml步骤2中制备的前体溶液转移到50ml步骤1制备的浆料中继续搅拌进行离子交换反应；步骤4、将步骤3得到的混合体系进行过滤，洗涤和烘干得到薄片状钙掺杂功能化氢氧化钴电极材料。
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