[发明专利]经封装装置以及形成经封装装置的方法有效
申请号: | 201710145182.5 | 申请日: | 2017-03-13 |
公开(公告)号: | CN107731776B | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 普翰屏;李孝文 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 顾伯兴 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种经封装装置,所述经封装装置包括:第一介电层、第二介电层以及第三介电层;第二介电层形成于所述第一介电层之上,包括装置衬底及从所述第一介电层延伸且穿过所述第二介电层的通孔;第三介电层形成于所述第二介电层之上,包括延伸穿过所述第三介电层的导电柱,其中所述导电柱电耦合至所述第二介电层的所述通孔。 | ||
搜索关键词: | 封装 装置 以及 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种经封装装置,其特征在于,包括:第一介电层;第二介电层,形成于所述第一介电层之上,并包括装置衬底及从所述第一介电层延伸且穿过所述第二介电层的通孔;以及第三介电层,形成于所述第二介电层之上,并包括延伸穿过所述第三介电层的导电柱,其中所述导电柱电耦合至所述第二介电层的所述通孔。
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