[发明专利]一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统及其控制方法在审
| 申请号： | 201710145644.3 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN106757332A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 李建俊;宋丽平;张泽兴;黄林;洪炳华;张珩琨;许桢 | 申请（专利权）人： | 江西旭阳雷迪高科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/06 | 分类号： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司36115 | 代理人： | 李炳生 |
| 地址： | 332000 江西省九*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统及其控制方法，包括人机界面、配电柜，所述人机界面连接工控机，工控机连接控制柜，所述控制柜内设有控制模块，控制模块连接可控硅，所述可控硅一路经顶部信号线连接顶部控制可控硅，可控硅另一路经侧部信号线连接有侧部控制可控硅，所述侧部信号线和顶部信号线均连接至配电柜，配电柜通过两个相并联的变压器连接外部供电器，所述顶部控制可控硅和侧部控制可控硅均包括有三个经水缆电缆连接的加热电极。本发明通过可控硅对顶部控制可控硅和侧部控制可控硅的功率等比例分开控制，能够有效保证坩埚底部籽晶层中心与四边的高度落差，实现全籽晶引晶效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 铸造 多晶 硅顶侧 分开 控制 加热 控制系统 及其 方法 | ||
【主权项】：
一种铸造多晶硅顶侧分开控制的加热控制系统，包括人机界面(1)、配电柜(10)，所述人机界面(1)连接工控机(2)，工控机(2)连接控制柜(3)，其特征在于，所述控制柜(3)内设有控制模块(4)，控制模块(4)连接可控硅（5），所述可控硅（5）一路经顶部信号线(6)连接顶部控制可控硅(8)，可控硅（5）另一路经侧部信号线(7)连接有侧部控制可控硅(9)，所述侧部信号线(7)和顶部信号线(6)均连接至配电柜(10)，配电柜(10)通过两个相并联的变压器(11)连接外部供电器(12)，所述顶部控制可控硅(8)和侧部控制可控硅(9)均包括有三个经水缆电缆(13)连接的加热电极(14)。
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