[发明专利]一种半导体器件及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201710146656.8 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108573914B | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 李凤莲;倪景华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括：提供基底，在所述基底上形成有超低K介电层以及嵌于所述超低K介电层中并露出顶部表面的互连结构；在所述超低K介电层和所述互连结构上形成覆盖层，以覆盖所述超低K介电层和所述互连结构；执行热固化步骤，以消除所述互连结构中的应力。本发明通过热固化处理可以改善器件的与时间相关电介质击穿(time dependent dielectric breakdown，TDDB)性能，进一步提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括：基底；超低K介电层，位于所述基底上；互连结构，嵌于所述超低K介电层中并且露出所述互连结构的顶部表面；覆盖层，位于所述超低K介电层和所述互连结构上；其中，所述互连结构和所述覆盖层经热固化处理得到，以消除所述互连结构中的应力。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
