[发明专利]具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法有效
| 申请号： | 201710147379.2 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN108570160B | 公开（公告）日： | 2021-05-04 |
| 发明（设计）人： | 范润华;解培涛;张子栋;刘峣 | 申请（专利权）人： | 苏州市迈尔特材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C08J7/046 | 分类号： | C08J7/046;C08L27/16;C08K3/04;C08K7/00;C09D163/00;H01G4/08;H01G4/18 |
| 代理公司： | 北京恩赫律师事务所 11469 | 代理人： | 赵文成 |
| 地址： | 215511 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法，属于电化学领域。上述具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法，包括：步骤1：负介电层材料石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料的制备；步骤2：在石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料上制备环氧树脂涂层。本发明提供的具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法，工艺简单，获得具有高频率高介电常数的超构电容器材料在100MHz‑1GHz频段，介电常数保持100以上，介电损耗正切值低于0.15，突破了介电弛豫对电容器性能的制约。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 mhz 介电常数 电容器 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有MHz高介电常数的超构电容器材料的制备方法，其特征在于，包括：步骤1：负介电层材料石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料的制备；步骤2：在石墨烯/聚偏氟乙烯复合材料上制备环氧树脂涂层。
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