[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201710147384.3 | 申请日： | 2012-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106847898A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 山本芳树;槙山秀树;角村贵昭;岩松俊明 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所11256 | 代理人： | 杨宏军,李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，具有在衬底上隔着栅极绝缘膜(GI)而形成的栅电极(GE)、和形成在衬底上的源极‑漏极用的半导体层(EP1)。半导体层(EP1)的上表面处于比栅电极(GE)的正下方的衬底的上表面高的位置上。而且，栅电极(GE)的栅长方向上的端部位于半导体层(EP1)上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，具有MISFET，所述MISFET包括：栅极绝缘膜、栅电极、源极用的第一外延层和漏极用的第二外延层，在半导体衬底上形成有多个第一槽，所述第一外延层和第二外延层分别埋入形成于所述第一槽内，且具有比所述第一槽外的所述半导体衬底的表面高的突出部，所述突出部具有倾斜部，在所述MISFET的栅长方向上所述倾斜部的厚度随着朝向远离所述栅电极的中心的方向而逐渐变厚，在所述半导体衬底上、所述第一外延层上以及所述第二外延层上形成有第一绝缘膜，第二槽以在所述第一外延层和第二外延层之间的所述半导体衬底上、所述第一外延层的倾斜部上以及所述第二外延层的倾斜部上开口的方式，形成于所述第一绝缘膜中，所述栅极绝缘膜沿着所述第一外延层和第二外延层的倾斜部的形状而形成于所述第二槽的侧面及底面，所述栅电极沿着所述第一外延层和第二外延层的倾斜部的形状而隔着所述栅极绝缘膜埋入形成于所述第二槽内，所述MISFET的栅长方向上的所述栅电极的两端部分别位于所述第一外延层和第二外延层上，在所述第一外延层和第二外延层上形成有硅化物膜，所述硅化物膜和所述栅电极通过所述栅极绝缘膜而绝缘。
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