[发明专利]半导体器件以及半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201710147483.1 | 申请日： | 2017-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN107275397B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 宫本广信;冈本康宏;川口宏;中山达峰 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/20;H01L29/423;H01L29/10;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 陈伟;沈静 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件以及半导体器件的制造方法，提高半导体器件(高电子迁移率晶体管)的特性。将具有缓冲层、沟道层、电子供给层、台面型的覆盖层、源电极(SE)、漏电极(DE)、将覆盖层覆盖的栅极绝缘膜(GI)以及形成于该栅极绝缘膜之上的栅电极(GE)的半导体器件设为以下结构。覆盖层与栅电极(GE)通过栅极绝缘膜(GI)而分离，覆盖层的漏电极(DE)侧和源电极(SE)侧的侧面呈锥形状。例如，覆盖层(台面部)的侧面的锥形角(θ1)为120度以上。根据上述结构，起到TDDB寿命的提高效果，另外，起到导通电阻变动的抑制效果。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，其特征在于，具有：第一氮化物半导体层；第二氮化物半导体层，其形成于所述第一氮化物半导体层上；第三氮化物半导体层，其形成于所述第二氮化物半导体层上；台面型的第四氮化物半导体层，其形成于所述第三氮化物半导体层上；源电极，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的一侧；漏电极，其在所述第三氮化物半导体层上且形成于所述第四氮化物半导体层的另一侧；栅极绝缘膜，其覆盖所述第四氮化物半导体层；以及栅电极，其形成于所述栅极绝缘膜上，所述第二氮化物半导体层的电子亲和力为所述第一氮化物半导体层的电子亲和力以上，所述第三氮化物半导体层的电子亲和力小于所述第一氮化物半导体层的电子亲和力，所述第四氮化物半导体层的电子亲和力为所述第二氮化物半导体层的电子亲和力以上，所述第四氮化物半导体层与所述栅电极通过所述栅极绝缘膜而分离，所述第四氮化物半导体层在所述漏电极侧的端部，其膜厚逐渐减少。
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