[发明专利]钽酸锂单晶基板的制造方法有效
| 申请号： | 201710149157.4 | 申请日： | 2017-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN107201544B | 公开（公告）日： | 2023-03-28 |
| 发明（设计）人： | 阿部淳 | 申请（专利权）人： | 信越化学工业株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人： | 权鲜枝;侯剑英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明的目的在于提供一种不需要减压工序、多达数次的还原处理，并且通过新型的还原处理制造均质性高的体积电阻率为1×10 |
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| 搜索关键词： | 钽酸锂单晶基板 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种钽酸锂单晶基板的制造方法，是体积电阻率为1×1010Ω·cm以上并小于1×1012Ω·cm的钽酸锂单晶基板的制造方法，其特征在于，将体积电阻率为1×1012Ω·cm以上且为单畴结构的钽酸锂单晶基板埋入碳酸锂粉末中，并且在常压下、惰性气体和还原性气体的混合气体氛围中，以350℃以上且居里温度以下的温度进行热处理。
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