[发明专利]发光元件有效
| 申请号： | 201710152765.0 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107221592B | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 山上勇也;森田大介 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/44 | 分类号： | H01L33/44;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 刘晓迪 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种确保可靠性且具有较高的光取出效率的发光元件。发光元件具有：半导体层积体、设置在半导体层积体的上表面的一部分的上部电极、设置在半导体层积体的下表面中从上部电极的正下方区域离开的区域的具有光反射性的下部电极、在上部电极的表面和半导体层积体的上表面连续设置的保护膜，在下部电极的正上方区域设置的保护膜的厚度比在上部电极的表面和设有上部电极的区域的附近区域的半导体层积体的上表面连续设置的保护膜的厚度薄。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 元件 | ||
【主权项】：
一种发光元件，其中，具有：半导体层积体；上部电极，其设置在所述半导体层积体的上表面的一部分；下部电极，其具有光反射性，设置在所述半导体层积体的下表面中从所述上部电极的正下方区域离开的区域；保护膜，其与所述上部电极的表面、和所述半导体层积体的上表面连续而设置，在所述下部电极的正上方区域设置的所述保护膜的厚度比与所述上部电极的表面、和设有所述上部电极的区域的附近区域的所述半导体层积体的上表面连续而设置的所述保护膜的厚度薄。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日亚化学工业株式会社，未经日亚化学工业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710152765.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
