[发明专利]一种发光二极管外延片的制造方法有效
| 申请号： | 201710154655.8 | 申请日： | 2017-03-15 |
| 公开（公告）号： | CN107086256B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。包括：提供一衬底；在衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、有源层、电子阻挡层、P型氮化镓层；高温缓冲层包括(n+1)个氮化镓层和n个铝镓氮层，n为正整数，(n+1)个氮化镓层和n个铝镓氮层交替层叠设置，(n+1)个氮化镓层的生长温度沿发光二极管外延片的生长方向逐层升高，(n+1)个氮化镓层的生长速率沿发光二极管外延片的生长方向逐层加快，n个铝镓氮层中铝组分含量沿发光二极管外延片的生长方向逐层增加。本发明利用氮化镓层生长温度和铝镓氮层中铝组分含量的提高，弥补生长速率提高而产生的缺陷，实现生长周期的缩短和生产成本的降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片的制造方法，其特征在于，所述制造方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长低温缓冲层、高温缓冲层、N型氮化镓层、有源层、电子阻挡层、P型氮化镓层；其中，所述高温缓冲层包括(n+1)个氮化镓层和n个铝镓氮层，n为正整数，所述(n+1)个氮化镓层和所述n个铝镓氮层交替层叠设置，所述(n+1)个氮化镓层的生长温度沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层升高，所述(n+1)个氮化镓层的生长速率沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层加快，所述n个铝镓氮层中铝组分含量沿所述发光二极管外延片的生长方向逐层增加；相邻两个所述氮化镓层的生长温度的差值为5～50℃。
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