[发明专利]相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法在审
| 申请号： | 201710156122.3 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN108132578A | 公开（公告）日： | 2018-06-08 |
| 发明（设计）人： | 陈俊郎;涂志强;杨世豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;G03F1/26;G03F1/30 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 顾伯兴 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了相移掩模、制作光掩模的方法及制作掩模版的方法。一种制作光掩模的方法包括：在透光性衬底之上沉积相移器；在所述透光性衬底之上沉积遮蔽层；以及移除所述遮蔽层的一部分及所述相移器的一部分以暴露出所述透光性衬底的一部分。所述相移器具有至少两个半导体层及至少两个介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩模 透光性 衬底 制作 相移掩模 相移器 掩模版 遮蔽层 半导体层 沉积相 介电层 移除 沉积 暴露 | ||
【主权项】：
一种制作光掩模的方法，其特征在于，包括：在透光性衬底之上沉积相移器，所述相移器具有至少两个半导体层及至少两个介电层；在所述透光性衬底之上沉积遮蔽层；以及移除所述遮蔽层的一部分及所述相移器的一部分以暴露出所述透光性衬底的一部分。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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