[发明专利]参考电压源电路在审
| 申请号： | 201710156150.5 | 申请日： | 2017-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN106909193A | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 邵博闻 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种参考电压源电路，包含第一～第四PMOS，第一～第三NMOS，以及第一及第二电阻。第一及第二PMOS的栅极相连，同时第二PMOS的栅极与漏极短接；第一及第二PMOS的源极相连后接电源；第四PMOS的源极与第一PMOS的漏极相连，第四PMOS的漏极接第二电阻；第一NMOS的栅极与第二NMOS的栅极相连，同时第一NMOS的栅极和漏极短接并接第二电阻的另一端，第一NMOS的源极接地；第二NMOS的漏极接第二PMOS的漏极；第二NMOS的源极通过第一电阻接地；第三PMOS的栅、漏短接后接第四PMOS的栅极，第三PMOS的源极接电源，第四PMOS的漏极接第三NMOS的漏极，第三NMOS的源极接第二NMOS的源极；第四PMOS的漏极输出参考电压。本发明参考电压源电路通过增加旁路，在不增加电流的情况下具有更高的电源抑制比。 | ||
| 搜索关键词： | 参考 电压 电路 | ||
【主权项】：
一种参考电压源电路，其特征在于：包含：第一～第四PMOS，第一～第三NMOS，以及第一及第二电阻。第一及第二PMOS的栅极相连，同时第二PMOS的栅极与漏极短接；第一及第二PMOS的源极相连后接电源；第四PMOS的源极与第一PMOS的漏极相连，第四PMOS的漏极接第二电阻；第一NMOS的栅极与第二NMOS的栅极相连，同时第一NMOS的栅极和漏极短接并接第二电阻的另一端，第一NMOS的源极接地；第二NMOS的漏极接第二PMOS的漏极；第二NMOS的源极通过第一电阻接地；第三PMOS的栅、漏短接后接第四PMOS的栅极，第三PMOS的源极接电源，第四PMOS的漏极接第三NMOS的漏极，第三NMOS的源极接第二NMOS的源极；第四PMOS的漏极输出参考电压。
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