[发明专利]一种VDMOS器件截止环结构

摘要

本发明涉及一种VDMOS器件截止环结构，它包括作为衬底的高阻掺杂区；在高阻掺杂区上形成有Field氧化层；在Field氧化层上刻蚀形成AA窗口；在AA窗口区域内的高阻掺杂区上形成Gate氧化层；在Gate氧化层上覆盖有GatePoly层，GatePoly层的左侧延伸到AA窗口左侧Field氧化层上，GatePoly层的右侧只覆盖AA窗口一部分；AA窗口未覆盖Poly的区域形成与高阻掺杂区相反掺杂类型的Body掺杂区；在Body掺杂区上形成与其相反掺杂类型的Source掺杂区；在Field氧化层及Poly表面上覆盖有BPSG+USG；在GatePoly层及Source掺杂区上刻蚀氧化层形成Cont孔；在Cont孔上覆盖Metal层，并且Metal层左侧延伸到Field氧化层上。本发明的截止环结构不需要任何额外的工艺流程，避免了常规截止环结构需要增加一次光刻工艺才能实现的弊端。

主权项

一种VDMOS器件截止环结构，它包括作为衬底的高阻掺杂区（1）；在所述的高阻掺杂区（1）上形成有Field氧化层（2）；在所述的Field氧化层（2）上刻蚀形成AA窗口（3）；在所述AA窗口（3）区域内的高阻掺杂区（1）上形成Gate氧化层（4），Gate氧化层（4）只覆盖部分AA窗口（3）区域内的高阻掺杂区（1）；在所述的Gate氧化层（4）上覆盖有GatePoly层（5），GatePoly层（5）的左侧延伸到AA窗口（3）左侧Field氧化层（2）上，GatePoly层（5）的右侧只覆盖AA窗口（3）一部分；所述AA窗口（3）未覆盖GatePoly层（5）的区域形成与高阻掺杂区（1）相反掺杂类型的Body掺杂区（6）；在所述Body掺杂区（6）上形成与其相反掺杂类型的Source掺杂区（7）；在所述的Field氧化层（2）及GatePoly层（5）表面上覆盖有BPSG+USG层（8）；在所述的GatePoly层（5）及Source掺杂区（7）上刻蚀氧化层形成Cont孔（9）；在所述的Cont孔（9）上覆盖Metal层（10），并且Metal层（10）左侧延伸到Field氧化层上。