[发明专利]一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用有效

专利信息
申请号: 201710157627.1 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN107101988B 公开(公告)日: 2020-08-28
发明(设计)人: 赵倩;刘广强;蔡伟平 申请(专利权)人: 中国科学院合肥物质科学研究院
主分类号: G01N21/65 分类号: G01N21/65
代理公司: 北京凯特来知识产权代理有限公司 11260 代理人: 郑立明;李闯
地址: 230031 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列及其应用,该金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列的制备方法包括:制备玻璃基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列;采用反应离子刻蚀法对所述玻璃基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列进行刻蚀,再去除玻璃基底上的单层聚苯乙烯胶体晶体阵列,从而制得高密度纳米针尖阵列;以所述的高密度纳米针尖阵列为模板,采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10~50nm的金膜,从而制得金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列。该金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列可直接作为表面增强拉曼效应的衬底材料。本发明不仅构造面积大、均一性好、表面洁净、检测灵敏度高,而且制备方法简单、操作方便、成本低廉、经济环保。
搜索关键词: 一种 覆盖 高密度 纳米 针尖 阵列 及其 应用
【主权项】:
一种金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列,其特征在于,其制备方法包括以下步骤:步骤A、在玻璃基底上制备紧密排列的单层聚苯乙烯胶体晶体阵列,从而得到玻璃基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列;步骤B、采用反应离子刻蚀法对所述的玻璃基底单层聚苯乙烯胶体晶体阵列进行刻蚀,再去除玻璃基底上的单层聚苯乙烯胶体晶体阵列,从而制得高密度纳米针尖阵列;步骤C、以所述的高密度纳米针尖阵列为模板,采用物理沉积方法在所述模板的表面沉积一层厚度为10~50nm的金膜,从而制得金膜覆盖的高密度纳米针尖阵列。
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