[发明专利]应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路有效

专利信息
申请号: 201710158975.0 申请日: 2017-03-16
公开(公告)号: CN106896857B 公开(公告)日: 2018-04-17
发明(设计)人: 李先锐;赖彭宇;吕春伟;路建民;刘栋;赵永刚 申请(专利权)人: 西安电子科技大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 陕西电子工业专利中心61205 代理人: 田文英,王品华
地址: 710071*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路,主要解决线性稳压器负载瞬态响应不够快的问题。该负载瞬态响应增强电路由电压跟随器单元及可变参考电压单元组成。可变参考电压单元中的第一输出电压与负载电流呈负相关关系,以此调节线性稳压器的功率管,达到增强瞬态响应的目的。
搜索关键词: 应用于 线性 稳压器 负载 瞬态 响应 增强 电路
【主权项】:
一种应用于线性稳压器的负载瞬态响应增强电路,其特征在于,包括电压跟随器单元,可变电压单元;其中:所述的电压跟随器单元包括偏置电流器IBIAS,第一MOS管M1,第二MOS管M2,第三MOS管M3,第四MOS管M4;所述的可变电压单元包括参考电流器IREF,采样电流电路,第五MOS管M5,第六MOS管M6,第七MOS管M7,第八MOS管M8,第九MOS管M9;所述的电压跟随器单元中的偏置电流器IBIAS的一端接电源电压VIN,另一端接第一MOS管M1的源极;第一MOS管M1的栅极接偏置电压Vref,漏极接第三MOS管M3的漏极;第二MOS管M2的源极与第一MOS管M1的源极相接,第二MOS管M2的漏极与其栅极相接后与第四MOS管M4的漏极相连;第三MOS管M3的栅极与其漏极相接后与第四MOS管M4的栅极相连,第三MOS管M3和第四MOS管M4的源极接地电平;所述的可变电压单元中的第五MOS管M5的源极和第六MOS管M6的源极相接后,与电源电压VIN相连,第五MOS管M5的栅极与漏极相接后,与第六MOS管M6的栅极相连,第五MOS管M5的漏极与外接采样电流电路的输出端相连;第六MOS管M6的漏极分别与第七MOS管M7的栅极和漏极相接;第七MOS管M7的源极分别与第四MOS管M4的漏极和第二MOS管M2的漏极相连;第八MOS管M8的漏极接电源电压VIN,栅极接第七MOS管M7的栅极,第八MOS管M8的源极与参考电流器IREF的一端相接后与第九MOS管M9的栅极相连;参考电流器IREF的另一端接地电平;第九MOS管M9的源极接电源电压VIN,漏极接第一输出电压VG。
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