[发明专利]一种发光二极管的制备方法

摘要

本发明公开了一种发光二极管的制备方法，属于光电子技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上外延生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层，在P型欧姆接触层上制作金属反射层，将金属反射层粘合到基板上，依次去除衬底、缓冲层和N型腐蚀停层，制作第一电极，去除部分N型欧姆接触层，在N型电流扩展层上形成SiO₂层和Ag纳米颗粒层，刻蚀SiO₂层和N型电流扩展层，进行粗化处理，可以在N型电流扩展层的表面刻蚀出纳米柱结构，形成颗粒小，分布均匀且高度较高的表面，避免了粗化不均匀导致的发光二极管亮度不均匀的情况。

主权项

1.一种发光二极管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、N型腐蚀停层、N型欧姆接触层、N型电流扩展层、N型限制层、有源层、P型限制层、P型电流扩展层和P型欧姆接触层；在所述P型欧姆接触层上制作金属反射层；提供一基板；将所述金属反射层粘合到所述基板上；依次去除所述衬底、所述缓冲层和所述N型腐蚀停层，以露出所述N型欧姆接触层；在所述N型欧姆接触层上制作第一电极；去除所述N型欧姆接触层中未被所述第一电极覆盖的部分，以露出所述N型电流扩展层；在所述N型电流扩展层和所述第一电极上形成SiO₂层；在所述SiO₂层上形成Ag纳米颗粒层；以所述Ag纳米颗粒层作为遮挡，对所述SiO₂层进行刻蚀，且刻蚀深度不小于所述SiO₂层的厚度；刻蚀所述N型电流扩展层，且刻蚀深度小于所述N型电流扩展层的厚度；对所述N型电流扩展层进行粗化处理，粗化深度为0.1～0.3μm；在所述基板的背向所述金属反射层的一侧面上制作第二电极；所述粗化处理为多次粗化，第一次粗化后的每次粗化时间逐渐缩短。