[发明专利]下电极装置及半导体加工设备有效
| 申请号： | 201710160650.6 | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN108630511B | 公开（公告）日： | 2020-10-13 |
| 发明（设计）人： | 成晓阳 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;H01J37/305;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种下电极装置，下电极装置包括下射频电源、下匹配器和基座，基座用于承载基片，基座包括绝缘设置的多个射频电极；下射频电源的输出端与下匹配器的输入端相连；下匹配器包括与多个射频电极一一对应相连的多路输出端；下匹配器用于实现对下射频电源的特征阻抗和负载阻抗进行阻抗匹配，并在阻抗匹配的过程中使得多路输出端输出的电压按照预设分配方式输出至多个射频电极，以对每个射频电极加载相应的射频偏压。该下电极装置和半导体加工设备，提供了一种调节工艺均匀性的手段，扩大了工艺应用窗口，因此，下电极装置应用在大尺寸晶圆(大于等于300mm，甚至450mm)刻蚀设备中可以有效地提高工艺均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 装置 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】：
1.一种下电极装置，包括下射频电源、下匹配器和基座，所述基座用于承载基片，其特征在于，所述基座包括绝缘设置的多个射频电极；所述下射频电源的输出端与所述下匹配器的输入端相连；所述下匹配器包括与多个所述射频电极一一对应相连的多路输出端；所述下匹配器用于实现对所述下射频电源的特征阻抗和负载阻抗进行阻抗匹配，并在阻抗匹配的过程中使得多路输出端输出的电压按照预设分配方式输出至多个所述射频电极，以对每个所述射频电极加载相应的射频偏压。
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