[发明专利]InP基异质结双极晶体管的制作方法有效
| 申请号： | 201710160773.X | 申请日： | 2017-03-17 |
| 公开（公告）号： | CN106952951B | 公开（公告）日： | 2019-11-15 |
| 发明（设计）人： | 汪宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331;H01L21/027 |
| 代理公司： | 11667 北京兰亭信通知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵永刚<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种InP基异质结双极晶体管的制作方法。所述方法包括：使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极；腐蚀含有所述发射极电极的发射极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层；使用深紫外光源对露出的基极外延层进行光刻，形成基极电极；腐蚀含有所述基极电极的基极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层；使用深紫外光源对露出的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极。本发明使用PMMA光刻胶配合深紫外光刻，避免使用碱性试剂，因而有效地避免了碱性物质对GaAsSb的化学腐蚀，最大限度的保证了导电沟道和二维电子气的电学性能，提升了InP基GaAsSb的HBT的器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | inp 基异质结 双极晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种InP基异质结双极晶体管的制作方法，其特征在于，包括：/n使用深紫外光源对InP基异质结双极晶体管表面的发射极外延层进行光刻，形成发射极电极；/n腐蚀含有所述发射极电极的发射极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层；/n在露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯PMMA；/n使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层进行光刻；/n在所述露出的所述InP基异质结双极晶体管的基极外延层表面蒸发金属合金；/n腐蚀所述金属合金，形成基极电极；/n腐蚀含有所述基极电极的基极外延层，露出所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层；/n使用深紫外光源对露出的所述InP基异质结双极晶体管的集电极外延层进行光刻，形成集电极电极。/n
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