[发明专利]一种nBn型InAlSb红外探测器材料及其制备方法，红外探测器

摘要

本发明涉及一种nBn型InAlSb红外探测器材料及其制备方法，红外探测器。该材料包括由下到上依次设置的吸收层、势垒层及电极接触层，吸收层为n型轻掺杂的In1‑xAlxSb，势垒层为n型非故意掺杂的In1‑yAlySb，电极接触层为n型重掺杂的In1‑xAlxSb。本发明的红外探测器材料，Al元素的加入能够加宽InSb的能带宽度，减小热激发导致的产生‑复合电流以及带间隧道电流；接触层与吸收层之间的加入宽禁带、Al组分呈梯度分布的InAlSb势垒层能够有效阻止吸收层中的G‑R电流和隧道电流输运到接触电极；该材料可以有效降低红外器件内部的暗电流，提高工作温度和检测灵敏度。

主权项

1.一种nBn型InAlSb红外探测器材料，其特征在于，包括由下到上依次设置的吸收层、势垒层及电极接触层，其中，吸收层为n型轻掺杂的In1‑xAlxSb，掺杂浓度小于2×1016cm‑3；电极接触层为n型重掺杂的In1‑xAlxSb，掺杂浓度为5×1016～5×1018cm‑3；In1‑xAlxSb中，0

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