[发明专利]高介电低损耗无规共聚物电介质材料及制备方法有效

专利信息
申请号: 201710161290.1 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN107090058B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 黄兴溢;王雨馨;江平开 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: C08F220/38 分类号: C08F220/38;C08F220/32;C08J5/18;C08J3/24;C08L33/14;C08K5/18;C09D133/14;H01L21/288;H01L29/51
代理公司: 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 代理人: 郭国中
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了可交联高介电低损耗聚合物绝缘材料的合成,交联制膜方法,以及其用于场效应晶体管绝缘层的制备方法;该聚合物绝缘材料的结构通式为:其中R为烷基,n及m分别表示两种结构单元的相对摩尔含量。所述聚合物为无规共聚物,其中环氧基团为可交联基团,砜基为极性基团。所述聚合物通过热交联成膜可以制备得聚合物薄膜。该交联薄膜具有透明,柔性,高介电常数,低介电损耗,高储能密度及高储能效率等性能。同时,该聚合物可通过低温溶液法制备成为场效应晶体管绝缘层材料。所制备的晶体管具有启动电压低,迁移率高以及可低电压稳定操作等性能。可满足微电子器件绝缘层材料的性能需求。
搜索关键词: 高介电低 损耗 共聚物 电介质 材料 制备 方法
【主权项】:
1.一种无规共聚物,其特征在于,具有式I所示的通式:其中,R为C12H25,n和m均为摩尔百分数,n为50~90%,m为10~50%。
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