[发明专利]TFT基板的制作方法及TFT基板有效

专利信息
申请号: 201710162222.7 申请日: 2017-03-17
公开(公告)号: CN106898616B 公开(公告)日: 2019-11-12
发明(设计)人: 金元仲;孟林 申请(专利权)人: 武汉华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 430070 湖北省武汉市*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明提供一种TFT基板的制作方法及TFT基板。本发明的TFT基板的制作方法,通过对栅极金属层的图案进行设计,使栅极金属层对应形成跨接孔的区域设有反射块,从而在形成跨接孔的过程中,通过反射块对光线进行反射而加强形成跨接孔位置处的曝光强度,在受现有曝光机曝光极限尺寸限制的情况下,仍可保证高PPI显示面板器件中形成跨接孔时曝光充分,进而可实现高PPI显示面板产品的生产。本发明的TFT基板,可保证高PPI显示面板器件中形成跨接孔时曝光充分,进而可实现高PPI显示面板产品的生产。
搜索关键词: tft 制作方法 基板
【主权项】:
1.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:沉积并经图案化工艺形成栅极金属层(14)的步骤,所述栅极金属层(14)包括栅极(141)、及反射块(142),所述反射块(142)与所述栅极(141)不连接;在所述栅极金属层(14)上形成绝缘层(150)的步骤;在所述绝缘层(150)上涂布形成整面的光刻胶膜(50),对该层光刻胶膜(50)进行曝光和显影,形成光刻胶层(55)的步骤,对应所述反射块(142)上方的光刻胶膜(50)被曝光并形成第一通孔(551)和第二通孔(552);以光刻胶层(55)为遮蔽层,通过蚀刻工艺继续对第一通孔(551)和第二通孔(552)进行蚀刻形成第一跨接孔(181)和第二跨接孔(182)的步骤;在形成第一跨接孔(181)和第二跨接孔(182)的步骤中,所述第一跨接孔(181)和第二跨接孔(182)均贯穿所述绝缘层(150)和栅极金属层(14)。
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