[发明专利]一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的制备方法有效
申请号: | 201710164108.8 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106847701B | 公开(公告)日: | 2020-08-25 |
发明(设计)人: | 王凤云;宋龙飞;张洪超;罗麟氍;刘畅;石肇基 | 申请(专利权)人: | 青岛大学 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;D01F9/08;D01F1/10 |
代理公司: | 青岛高晓专利事务所(普通合伙) 37104 | 代理人: | 高泽玉 |
地址: | 266071 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明属于电子器件的制备工艺领域,涉及一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的制备方法,在纺丝过程中通过简单金属元素掺杂来提高饱和电流、开关比和载流子迁移率,该掺杂方法可以使器件的阈值电压大幅度左移,进而降低功耗,提高器件的性能;其具体工艺步骤包括制备前驱体溶液、掺杂金属元素、静电纺丝和器件组装;其制备工艺成熟简单、高效、低成本、能够实现大规模制备,所制备的金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管在光电器件、显示器、探测器、传感器等领域有着广阔的应用前景,具有实现大规模工业化生产的潜力。 | ||
搜索关键词: | 一种 金属 掺杂 氧化锌 纳米 纤维 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管的制备方法,其特征在于具体工艺步骤包括:(1)制备前驱体溶液在玻璃瓶中先加入0.8‑1.6g乙酸锌(二水),然后再加入20‑40g N,N‑二甲基甲酰胺(DMF)作为溶剂,在15‑30℃温度下进行磁力搅拌1.5‑3小时,得到稳定均一的透明溶液;然后再加入5‑10g聚乙烯吡咯烷酮(PVP),在15‑30℃温度下进行磁力搅拌4‑6小时后得到纯Zn源的静电纺丝前驱体溶液;(2)掺杂金属元素将金属元素Al、Sn、Ga、Sc、Y、La、Fe、Mn、Cr中的一种或几种对应的氯化盐或硝酸盐0.04‑0.64g溶于步骤(1)中配制的含纯Zn源的静电纺丝前驱体溶液中,得到金属元素掺杂重量百分比为5‑40%的掺杂静电纺丝前驱体溶液;(3)静电纺丝将步骤(2)制备的掺杂静电纺丝前驱体溶液纺在基底为表面附有厚度为150‑300nm SiO2介电层的硅片或ITO玻璃上,得到金属掺杂ZnO纳米纤维;另外,将接收基板改为滚筒,并通过调节滚筒转速,最终能得到有序排列的金属掺杂ZnO纳米纤维;纺丝条件设置为注射器针头与接收基板间电压10‑20kV,相对湿度20‑50%,注射器针头到接收基板间的距离10‑20cm,溶液推进速度0.5‑1ml/h;(4)器件组装:将步骤(3)得到的金属掺杂ZnO纳米纤维放入加热台烤胶10‑30min,然后将烤胶过的金属掺杂ZnO纳米纤维放置在UV灯下光照20‑60min,将纳米纤维固化并与附有SiO2介电层的硅片或ITO玻璃紧密接触;然后将UV灯照射过的金属掺杂ZnO纳米纤维放入马弗炉中,在400‑500℃温度下退火1‑3h,自然冷却至室温后取出;再用热蒸发镀膜机在纳米纤维层上蒸镀一对厚度为50‑200nm Al薄膜作为源、漏电极,然后在200‑300℃氮气气氛中退火30‑60min,即得金属掺杂氧化锌纳米纤维场效应晶体管。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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