[发明专利]一种利用双极膜电渗析制备药用辅料二氧化硅的方法

摘要

本发明公开一种利用双极膜电渗析制备药用辅料二氧化硅的方法，包括以下步骤：步骤一，制膜，具体包括以下步骤：A)，在金属片表面生长取向型ZIF纳米管，得到中间体；所述取向型ZIF纳米管中包括钴离子；B)，将所述中间体浸泡于高分子聚合物溶液中，得到取向型ZIF基阴离子交换膜，所述高分子聚合物溶液中的高分子聚合物含有苄氯基团或苄溴基团；步骤二，将所述取向型ZIF基阴离子交换膜设置于双极膜电渗析装置中，开始双极膜电渗析制备原硅酸多聚体；步骤三，加热所述步骤二制备的所述原硅酸多聚体，得到二氧化硅。本发明采用双极膜电渗析制备药用辅料二氧化硅，为制备药用辅料二氧化硅提供了一种新的制备工艺。

主权项

1.一种利用双极膜电渗析制备药用辅料二氧化硅的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，制膜，具体包括以下步骤：A)，在金属片表面生长取向型ZIF纳米管，得到中间体；所述取向型ZIF纳米管中包括钴离子；具体地，将所述金属片浸泡在第一反应液中，加热，在所述金属片表面生长出取向型碱式碳酸钴纳米线，取出，浸泡在第二反应液中，加热，将所述金属片表面的取向型碱式碳酸钴纳米线转化为取向型ZIF纳米管；其中，所述第一反应液包括可溶性钴盐、氟化铵和尿素；所述第二反应液包括咪唑类有机配体与碱性物质，所述碱性物质为包含氨基的有机碱或氨水；生长所述取向型碱式碳酸钴纳米线的过程中，所述第一反应液的加热温度为80℃～110℃，加热时间为9～13h；将所述取向型碱式碳酸钴纳米线转化为所述取向型ZIF纳米管的过程中，所述第二反应液的加热温度为80℃～100℃，加热时间为100～200min；B)，将所述中间体浸泡于高分子聚合物溶液中，得到取向型ZIF基阴离子交换膜，所述高分子聚合物溶液中的高分子聚合物含有苄氯基团或苄溴基团；步骤二，将所述取向型ZIF基阴离子交换膜设置于双极膜电渗析装置中，开始双极膜电渗析制备原硅酸多聚体；所述双极膜电渗析装置包括至少一个腔室单元，所述腔室单元包括依次排列的料液室和酸室；在双极膜电渗析过程中，所述料液室通入第一碱金属硅酸盐溶液，所述酸室通入第二碱金属硅酸盐溶液，所述第一碱金属硅酸盐溶液浓度高于所述第二碱金属硅酸盐溶液；步骤三，加热所述步骤二制备的所述原硅酸多聚体，得到二氧化硅。