[发明专利]一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法有效
申请号: | 201710165084.8 | 申请日: | 2017-03-20 |
公开(公告)号: | CN106960882B | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 郑颖;高珊;许妍 | 申请(专利权)人: | 河北盛平电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/18 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 王加莹 |
地址: | 050091 河北省石*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | 本申请公开了一种表面金属化陶瓷立方体和制作方法,解决微型陶瓷三维结构载体金属化困难的问题,所述立方体顶面覆盖金属层、正面包含金属图形一、底面包含金属图形二,包含以下步骤、在陶瓷基板正面印制图形一和正面工艺线;固化、烧结;将所述陶瓷基板沿所述水平切割线切割成条;在陶瓷条的顶面印制金属层;在陶瓷条的底面印制图形二和底面工艺线;固化、烧结;在所述金属层、图形一和图形二表面电镀金属;将陶瓷条沿所述垂直切割线切割。本申请提供的表面金属化陶瓷立方体制备方法,生产工艺简单,成本低,生产效率高。 1 | ||
搜索关键词: | 表面金属化 陶瓷立方体 陶瓷条 底面 金属图形 陶瓷基板 烧结 线切割 顶面 固化 表面电镀金属 印制 覆盖金属层 印制金属层 垂直切割 三维结构 生产效率 水平切割 微型陶瓷 载体金属 正面工艺 工艺线 金属层 成条 生产工艺 申请 制备 制作 | ||
在陶瓷基板正面印制图形一和正面工艺线,所述立方体正面的范围由两条水平切割线和两条垂直切割线围成,所述正面工艺线在所述范围之外,所述正面工艺线与所述两条水平切割线分别相交;
固化、烧结所述图形一和正面工艺线;
将所述陶瓷基板沿所述水平切割线切割成条,所述陶瓷基板正面与陶瓷条的正面共面;
在所述陶瓷基板或陶瓷条的正面切割对位槽,所述对位槽垂直于所述水平切割线并与所述水平切割线相交 ;
在陶瓷条的顶面印制金属层,陶瓷条的顶面与立方体顶面共面;
在陶瓷条的底面印制图形二和底面工艺线,陶瓷条的底面与所述立方体底面共面,所述立方体底面、正面在陶瓷条上的位置对齐,所述底面工艺线与所述正面工艺线相连,所述底面工艺线与所述图形二相连;
固化、烧结所述金属层、图形二和底面工艺线;
在所述金属层、图形一和图形二表面电镀金属;
将陶瓷条沿所述垂直切割线切割断开。
2.根据权利要求1所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,所述图形一和正面工艺线在所述陶瓷基板正面沿水平方向重复排列,所述图形二和底面工艺线在陶瓷条的底面沿水平方向重复排列。3.根据权利要求1所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,所述图形一在所述陶瓷基板正面沿垂直方向重复排列,所述图形一的重复间距大于或等于所述高度。4.根据权利要求2所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,所述图形一在所述陶瓷基板正面沿垂直方向重复排列;所述图形一的重复间距大于或等于所述高度。5.根据权利要求1~4任意一项所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,固化温度为80~120℃,时间为30~40分钟。6.根据权利要求1~4任意一项所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,烧结温度为1600~1650℃,时间为2~4小时。7.根据权利要求1~4任意一项所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,所述电镀金属为镍或金。8.根据权利要求1~4任意一项所述表面金属化陶瓷立方体制作方法,其特征在于,所述立方体的长度、高度和宽度中至少一项小于或等于1mm。9.一种表面金属化陶瓷立方体,其特征在于,使用权利要求1~8任意一种方法制成,所述立方体的长度、高度和宽度中至少一项小于或等于1mm。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北盛平电子科技有限公司,未经河北盛平电子科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的