[发明专利]一种发光二极管的芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201710166253.X | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN107154451A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 兰叶;顾小云;黄龙杰;杨春艳;吴志浩;王江波 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/60 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省金华市义*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的芯片及其制备方法，属于半导体技术领域。芯片包括衬底、氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、电流阻挡层、透明导电层、N型电极、P型电极和钝化层；N型电极设置在凹槽内的N型氮化镓层上，钝化层设置在透明导电层、凹槽的侧壁和凹槽内的N型氮化镓层上；P型电极包括底面设置在P型氮化镓层和透明导电层上的圆柱体和至少一个底面设置在透明导电层上的条形体，条形体由圆柱体的侧面向外延伸，圆柱体和条形体均包括依次层叠的欧姆接触层、反光层和焊料层，反光层的材料采用铝硅铜合金，铝硅铜合金中硅的质量分数为1％～2％，铝硅铜合金中铜的质量分数为0.5％～1％。本发明提高芯片可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的芯片，所述芯片包括衬底、以及依次层叠在所述衬底上的氮化镓缓冲层、N型氮化镓层、多量子阱层、P型氮化镓层、电流阻挡层和透明导电层，所述芯片上设有从所述透明导电层延伸至所述N型氮化镓层的凹槽；所述芯片还包括N型电极、P型电极和钝化层，所述N型电极设置在所述凹槽内的所述N型氮化镓层上，所述钝化层设置在所述透明导电层、所述凹槽的侧壁和所述凹槽内的所述N型氮化镓层上；所述P型电极包括底面设置在所述P型氮化镓层和透明导电层上的圆柱体和至少一个底面设置在所述透明导电层上的条形体，所述条形体由所述圆柱体的侧面向外延伸，所述圆柱体和所述条形体均包括依次层叠的欧姆接触层、反光层和焊料层，其特征在于，所述反光层的材料采用铝硅铜合金，所述铝硅铜合金中硅的质量分数为1％～2％，所述铝硅铜合金中铜的质量分数为0.5％～1％。
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