[发明专利]发光二极管及其制造方法以及制造发光二极管模块的方法有效

专利信息
申请号: 201710166369.3 申请日: 2013-06-14
公开(公告)号: CN107452848B 公开(公告)日: 2019-03-22
发明(设计)人: 蔡钟炫;张钟敏;卢元英;徐大雄;姜珉佑;李俊燮;金贤儿 申请(专利权)人: 首尔伟傲世有限公司
主分类号: H01L33/40 分类号: H01L33/40;H01L33/46;H01L33/38;H01L33/44
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 刘灿强;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供一种其中通过保护绝缘层限定的构造成包围反射金属层的导电阻挡层的发光二极管(LED)及其制造方法。包括反射金属层和导电阻挡层的反射图案形成在其中形成有第一半导体层、活性层和第二半导体层的发光结构上。在形成工艺过程中,导电阻挡层防止反射金属层的扩散,并且延伸至凹进到具有外伸结构的光刻胶图案下方的保护绝缘层。由此防止导电阻挡层与具有外伸结构的光刻胶图案的侧壁形成接触以及反射金属层形成尖端的现象。由此可以制造出具有各种不同形状的LED模块。
搜索关键词: 发光二极管 及其 制造 方法 以及 模块
【主权项】:
1.一种发光二极管,包括:基底;设置在基底上的第一半导体层;设置在第一半导体层的一部分上的活性层;设置在活性层上的第二半导体层;以及设置在第二半导体层的一部分上的反射图案,其中,反射图案包括反射金属层和导电阻挡层,导电阻挡层根据下面的反射金属层的表面状态或梯度形成为不同的厚度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于首尔伟傲世有限公司,未经首尔伟傲世有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710166369.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top