[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管的制作方法

摘要

本发明提供一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，在有源层上图案化形成栅极与栅极绝缘层后，以栅极与栅极绝缘层为阻挡层，通过等离子掺杂工艺对所述有源层进行第一次掺杂，形成轻掺杂区，然后沉积形成层间介电层，在层间介电层上对应轻掺杂区上方形成第一过孔与第二过孔，再在层间介电层上沉积一层银膜，对层间介电层进行高温退火处理，从而使银膜中的银扩散到轻掺杂区中，实现对有源层进行第二次掺杂，使得轻掺杂区上被所述第一通孔与第二通孔露出的区域变为重掺杂区，进而得到具有轻掺杂漏极结构的有源层；能够有效降低源、漏极与有源层的接触电阻，提高迁移率和电流开关比，进而提高薄膜晶体管的电性，且制作方法简单。

主权项

1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1、提供一基板(10)，在所述基板(10)上依次沉积缓冲层(20)、及金属氧化物半导体层(30)，对该金属氧化物半导体层(30)进行图案化处理得到有源层(35)；步骤S2、在所述缓冲层(20)、及有源层(35)上依次沉积绝缘层(40)、及栅极金属层(50)，对该绝缘层(40)、及栅极金属层(50)进行图案化处理得到栅极绝缘层(45)与栅极(55)；以所述栅极(55)、及栅极绝缘层(45)为阻挡层，通过等离子掺杂工艺对所述有源层(35)进行第一次掺杂，使得所述有源层(35)上未被所述栅极(55)与栅极绝缘层(45)覆盖的区域的导电性增强，形成轻掺杂区(351)；步骤S3、在所述栅极(55)、有源层(35)、及缓冲层(20)上沉积层间介电层(60)，对该层间介电层(60)进行图案化处理，在所述层间介电层(60)上形成对应于所述轻掺杂区(351)上方的第一通孔(61)与第二通孔(62)；步骤S4、在所述层间介电层(60)上沉积一层银膜，对所述层间介电层(60)进行高温退火处理，采用的退火温度为100‑400℃，使银膜中的银扩散到有源层(35)的轻掺杂区(351)中，实现对所述有源层(35)进行第二次掺杂，使得所述轻掺杂区(351)上被所述第一通孔(61)与第二通孔(62)露出的区域的导电性进一步增强，变为重掺杂区(352)；然后利用刻蚀工艺将所述层间介电层(60)表面的银膜刻蚀掉；步骤S5、在所述层间介电层(60)上沉积源漏极金属层(70)，对该源漏极金属层(70)进行图案化处理，得到源极(71)与漏极(72)，所述源极(71)和漏极(72)分别通过第一通孔(61)和第二通孔(62)与所述有源层(35)的重掺杂区(352)相接触。