[发明专利]Ni‑Ti薄膜及其制作方法、MEMS驱动器在审
| 申请号： | 201710167776.6 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN106929801A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 潘冠军 | 申请（专利权）人： | 海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院 |
| 主分类号： | C23C14/16 | 分类号： | C23C14/16;C23C14/58;C23C14/35;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226600 江苏省南通市海安县镇南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种Ni‑Ti薄膜及其制作方法、MEMS驱动器，该方法利用高真空直流磁控溅射系统共溅射法制备Ni‑Ti薄膜，其厚度可精确控制在60～1000nm之间，该薄膜具有B2‑R单步马氏体相变特征，相变温度滞后仅有1～4K。通过结构调制，本发明窄滞后、亚微米级形状记忆合金薄膜的马氏体相变温度(Af)可以在控制在‑123～22℃，可以满足驱动器在不同使用条件下的高工作频率要求。 | ||
| 搜索关键词： | ni ti 薄膜 及其 制作方法 mems 驱动器 | ||
【主权项】：
一种Ni‑Ti薄膜，其特征在于，其中Ni元素原子比为48～49％，该薄膜厚度在60～1000nm之间，具有B2–R单步马氏体相变特征，相变温度滞后为1～4K，马氏体相变温度控制在‑123～22℃。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院，未经海安南京大学高新技术研究院;南京大学;南通南京大学材料工程技术研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710167776.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
