[发明专利]一种实现多值存储的阻变存储器的制备方法有效
| 申请号： | 201710167921.0 | 申请日： | 2017-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN106887519B | 公开（公告）日： | 2020-07-21 |
| 发明（设计）人： | 刘琦;伍法才;刘明;龙世兵;吕杭炳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及微电子器件与存储器技术领域，公开了一种实现多值存储的阻变存储器制备方法。该方法包括：在硅片上生长下电极，再在其上生长功能层材料，接着对功能层进行离子注入，最后生长上电极。本发明的阻变存储器能够实现多值存储，大的开关电阻比，均一性好，结构简单，易集成等优点，有利于本发明的广泛推广应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 存储 存储器 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种实现多值存储的阻变存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在衬底上形成下电极，并在下电极上形成功能层；S2：对功能层进行离子注入；S3：在功能层上形成上电极。
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