[发明专利]非线性光学薄膜In2Te3的吸收调控方法及其在光限幅领域的应用

摘要

本发明公开了一种非线性光学薄膜In2Te3的吸收调控方法及其在光限幅领域的应用。本发明首先通过磁控溅射镀膜系统固定溅射功率，制备出不同厚度的In2Te3薄膜；接着对薄膜进行结构分析，再通过飞秒激光开孔Z扫描法测量不同厚度的In2Te3薄膜的非线性吸收响应性能，通过理论拟合获得In2Te3薄膜的非线性吸收临界厚度；观察小于和大于非线性吸收临界厚度的In2Te3薄膜的饱和吸收和反饱和吸收变化，总结出薄膜厚度和非线性吸收特性变化的规律，进而通过调整薄膜厚度调控非线性吸收的强度和类型。本发明的方法简单，可控性好，能通过调控薄膜厚度设计并制备出期望的非线性吸收效果，并利用该特性设计出光限幅器件。

主权项

一种非线性光学薄膜In2Te3的吸收调控方法，其特征在于，具体步骤如下：（1）首先以In2Te3为靶材，采用射频磁控溅射的方法，通过固定射频功率改变溅射时间制备得到样品，再将样品在氮气氛围下退火，得到不同厚度的In2Te3In2Te3薄膜；接着通过飞秒激光开孔Z扫描法测量不同厚度的In2Te3薄膜的非线性吸收响应强度，通过对非线性吸收强度和薄膜厚度的线性拟合，获得 In2Te3薄膜的非线性吸收临界厚度；（2）观察小于和大于非线性吸收临界厚度的In2Te3薄膜的饱和吸收和反饱和吸收变化，总结出薄膜厚度和非线性吸收特性变化的规律；（3）根据薄膜厚度和非线性吸收特性的规律，通过调整薄膜厚度调控非线性吸收的强度和类型。