[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201710170062.0 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107221560B | 公开（公告）日： | 2022-05-31 |
| 发明（设计）人： | 许然喆;M.坎托罗 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体器件包括：半导体基板，其包括形成在半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；覆盖第一源极/漏极区的顶表面的金属硅化物层；以及穿透金属硅化物层并连接到半导体基板的半导体柱。半导体柱包括形成在半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区，栅电极在金属硅化物层上，并且栅电极在平面图中围绕半导体柱。接触连接到金属硅化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，其包括在所述半导体基板的上部分中的第一源极/漏极区；金属硅化物层，其覆盖所述第一源极/漏极区的顶表面；半导体柱，其穿透所述金属硅化物层并连接到所述半导体基板的所述上部分中的所述第一源极/漏极区，所述半导体柱包括在所述半导体柱的上部分中的第二源极/漏极区；在所述金属硅化物层上的栅电极，所述栅电极在平面图中围绕所述半导体柱；以及连接到所述金属硅化物层的接触。
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