[发明专利]一种肖特基势垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 201710171378.1 | 申请日： | 2017-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN107359207A | 公开（公告）日： | 2017-11-17 |
| 发明（设计）人： | 刘伟 | 申请（专利权）人： | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人： | 尉伟敏 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种肖特基势垒二极管，包括包括至少一个半导体单元，所述半导体单元包括第二导电类型掺杂衬底，在所述衬底的一侧上方同时设置有相互独立的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽顶端开口处设置有金属层，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层；沿所述第一沟槽内壁设置有欧姆接触金属层，沿所述第二沟槽内壁设置有肖特基势垒金属层，所述第一沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阴极金属层接触，所述第二沟槽的导电层沿与衬底相反的方向延伸与阳极金属层接触。另外，本发明还公开了一种肖特基势垒二极管的制造方法。采用本发明，降低了正向导通的压降。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种肖特基势垒二极管，其特征在于，包括至少一个半导体单元，所述半导体单元包括衬底，在所述衬底的一侧上方同时设置有相互独立的第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和第二沟槽顶端开口处设置有金属层，所述金属层包括阴极金属层和阳极金属层；沿所述第一沟槽内壁设置有欧姆接触金属层，沿所述第二沟槽内壁设置有肖特基势垒金属层，所述第一沟槽和第二沟槽内分别填充有导电层，所述第一沟槽的导电层与阴极金属层接触，所述第二沟槽的导电层与阳极金属层接触，所述阴极金属层和阳极金属层相互不连通。
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