[发明专利]等离子体处理方法有效
申请号: | 201710172873.4 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221493B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 永海幸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/263 | 分类号: | H01L21/263;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种依次执行多个循环的等离子体处理方法,该多个循环各自包括依次执行的多个阶段,该多个阶段是在处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段,在从先实施的阶段转移至后续阶段后的适当的时刻改变高频的设定和/或直流电压的电平的设定。在一个实施方式所涉及的等离子体处理方法中,向等离子体处理装置的第一电极和第二电极中的一个电极供给高频。从先实施的阶段转移至后续阶段时切换气体供给系统所输出的处理气体。在切换处理气体后,在反映等离子体的阻抗的参数超出了阈值的时刻,改变高频的设定和/或负极性的直流电压的电平的设定。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理方法,其为在等离子体处理装置中执行的等离子体处理方法,其特征在于:所述等离子体处理装置包括:处理容器;向所述处理容器内供给气体的气体供给系统;第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极以所述处理容器内的空间介于它们之间的方式设置;输出高频的高频电源;将所述高频电源与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极连接的供电线路;用于调整所述高频电源的负载阻抗的匹配器;和求取包括所述高频电源的负载阻抗、负载电阻和负载电抗、以及所述高频的反射波系数中的任一者的参数的运算部,在该等离子体处理方法中,依次执行多个循环,该多个循环各自包括依次执行的多个阶段,该多个阶段是在所述处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段,在所述多个阶段的整个过程中,从所述高频电源向所述一个电极供给所述高频,该等离子体处理方法包括:在从所述多个阶段中的先实施的阶段转移至与该先实施的阶段连续的后续阶段时,切换所述气体供给系统所输出的处理气体的工序;和在所述气体供给系统所输出的处理气体被切换后所述参数超出了阈值的时刻,改变从所述高频电源向所述一个电极供给的所述高频的设定的工序,其中,改变该高频的设定包括改变所述高频的功率、和/或将从所述高频电源向所述一个电极供给的所述高频由连续波和经过脉冲调制后的高频中的一方改变为另一方。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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