[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710173582.7 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108630660B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 邓国贵 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，衬底包括器件区和标记区；在衬底上形成停止层；在停止层上形成阻挡层；在阻挡层上形成第一刻蚀层；在器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口；在器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在标记区形成第二标记开口；在第一刻蚀层上形成第二刻蚀层；在第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以光刻胶为掩膜对第二刻蚀层进行第三刻蚀，在器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，第一标记开口、第二标记开口和第三标记开口在衬底表面上的投影图形无公共交集。该形成方法能够提高套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括器件区和标记区；在所述器件区和标记区衬底上形成停止层；在所述器件区和标记区停止层上形成阻挡层；在所述器件区和标记区阻挡层上形成第一刻蚀层；对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第一刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第一开口，并在所述标记区第一刻蚀层中形成第一标记开口，所述第一标记开口在所述衬底表面的投影图形为第一投影图形；对所述器件区和标记区第一刻蚀层进行第二刻蚀，在所述器件区第一刻蚀层中形成第二开口，并在所述标记区的阻挡层和第一刻蚀层中的一者或两者中形成第二标记开口，所述第二标记开口在所述衬底表面的投影图形为第二投影图形；在所述器件区和标记区第一刻蚀层上、第一开口中、第二开口中、第一标记开口中和第二标记开口中形成第二刻蚀层；在所述第二刻蚀层上形成图形化的光刻胶；以所述图形化的光刻胶为掩膜对所述第二刻蚀层进行第三刻蚀，在所述器件区第二刻蚀层中形成第三开口，并在所述标记区第二刻蚀层中形成第三标记开口，所述第三标记开口在所述衬底表面的投影图形为第三投影图形，所述第一投影图形、第二投影图形和第三投影图形无公共交集。
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