[发明专利]鳍状场效晶体管结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201710173984.7 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN107887439B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 黄彦钧;彭治棠;彭辞修;黄泰钧;许光源;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 用于切割基板上的鳍状场效晶体管结构的鳍状片段的切割最后的工艺，采用两步工艺。在形成鳍状物后，沉积氧化物材料于鳍状场效晶体管结构的沟槽中。氧化物材料可为浅沟槽隔离氧化物或低应力的虚置填隙材料。通过蚀刻品可移除鳍状片段，并保留凹陷状(如u型或v型)的硅部分于鳍状物底部。当氧化物材料为浅沟槽隔离氧化物时，移除鳍状物后形成的孔洞可填有替换的浅沟槽隔离氧化物。当氧化物材料为虚置的填隙材料时，可移除虚置的填隙材料以置换成浅沟槽隔离氧化物；或者将虚置的填隙材料转变成浅沟槽隔离氧化物，并在上述转变步骤之前或之后填入替换的浅沟槽隔离氧化物。 | ||
| 搜索关键词： | 鳍状场效 晶体管 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍状场效晶体管结构的形成方法，包含：选择性蚀刻一基板以形成多个鳍状物与多个沟槽；将一第一氧化物填入所述多个沟槽；蚀刻所述多个鳍状物的一第一鳍状物以移除至少部分的该第一鳍状物，以形成一孔洞；将一第二氧化物填入该孔洞，且该第二氧化物可与该第一氧化物相同或不同。
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