[发明专利]一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法有效
| 申请号： | 201710174031.2 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN108622879B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 刘畅;平林泉;侯鹏翔;成会明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C01B32/168 | 分类号： | C01B32/168 |
| 代理公司： | 沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管垂直阵列领域，具体为一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法。首先在生长基底表面制备出较高密度的碳纳米管垂直阵列，在生长结束切断碳源供给后，继续往反应室内通入具有弱刻蚀作用的气体，保持10～30min。将用以上方法制备得到的碳纳米管垂直阵列的自由端也就是顶部按压到任何一种目标基底表面，施加压力后即可将生长基底剥离，而碳纳米管垂直阵列整体粘在目标基底上。本发明过程简单可靠，适用于机械自动化过程，可以将高密度碳纳米管垂直阵列直接粘贴到任何一种基底表面，同时不受阵列高度的限制，因此可以获得很低的热阻和电阻，在热管理、电化学等诸多领域有着良好的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 垂直 阵列 接触 转移 方法 | ||
【主权项】：
1.一种碳纳米管垂直阵列的干式接触转移方法，其特征在于，利用底部生长机制在生长基底表面合成出较高密度的碳纳米管垂直阵列，经原位弱刻蚀性气体处理后，将垂直阵列放置在任何一种目标基底表面，利用机械力对其施加压力后将原生长基底剥离，碳纳米管垂直阵列留在目标基底表面，实现机械自动化转移。
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