[发明专利]等离子体处理方法有效
申请号: | 201710174303.9 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN107221494B | 公开(公告)日: | 2020-06-02 |
发明(设计)人: | 永海幸一 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/263 | 分类号: | H01L21/263;H01J37/32 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;程采 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明在处理容器内依次生成相互不同的处理气体的等离子体的等离子体处理中,在气体供给系统所输出的处理气体被切换后的适当的时刻变更高频的设定。在一个实施方式中,在向第一电极或第二电极供给第一高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后,在反映等离子体的阻抗的第一参数超出了第一阈值的时刻,增大第二高频的功率。另外,在向第二电极供给第二高频的状态下气体供给系统所输出的处理气体被切换之后,在反映等离子体的阻抗的第二参数超出了第二阈值的时刻,增大第一高频的功率。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 处理 方法 | ||
【主权项】:
一种等离子体处理方法,其在等离子体处理装置中执行,所述等离子体处理方法的特征在于:所述等离子体处理装置包括:处理容器;向所述处理容器内供给气体的气体供给系统;第一电极和第二电极,该第一电极和第二电极以所述处理容器内的空间介于它们之间的方式设置;输出第一高频的第一高频电源;输出具有比第一高频的频率低的频率的第二高频的第二高频电源;将所述第一高频电源与所述第一电极和所述第二电极中的一个电极连接的第一供电线路;将所述第二高频电源与所述第二电极连接的第二供电线路;用于调整所述第一高频电源的负载阻抗的第一匹配器;用于调整所述第二高频电源的负载阻抗的第二匹配器;求取第一参数的第一运算部,所述第一参数包括所述第一高频电源的负载阻抗、负载电阻和负载电抗、以及所述第一高频的反射波系数中的任一者;和求取第二参数的第二运算部,所述第二参数包括所述第二高频电源的负载阻抗、负载电阻和负载电抗、以及所述第二高频的反射波系数中的任一者,在该等离子体处理方法中依次执行多个循环,该多个循环各自包括依次执行的多个阶段,该多个阶段是在所述处理容器内生成相互不同的处理气体的等离子体的多个阶段,该等离子体处理方法包括:在从所述多个阶段中的第一先实施的阶段转移至第一后续阶段时,切换所述气体供给系统所输出的处理气体的工序,在该第一先实施的阶段中,向所述一个电极供给所述第一高频;在从所述第一先实施的阶段转移至所述第一后续阶段时所述气体供给系统所输出的处理气体被切换后,在所述第一参数超出了第一阈值的第一时刻,使第二高频的功率增大的工序,从所述第一先实施的阶段起至少至所述第一时刻为止持续地向所述一个电极供给所述第一高频;在从所述多个阶段中的第二先实施的阶段转移至第二后续阶段时,切换所述气体供给系统所输出的处理气体的工序,在该第二先实施的阶段中,向所述第二电极供给所述第二高频;和在从所述第二先实施的阶段转移至所述第二后续阶段时所述气体供给系统所输出的处理气体被切换后,在所述第二参数超出了第二阈值的第二时刻,使第一高频的功率增大的工序,在从所述第二先实施的阶段起至少至所述第二时刻为止持续地向所述第二电极供给所述第二高频。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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