[发明专利]一种雪崩二极管的外延结构及雪崩二极管的制造方法有效
| 申请号： | 201710175097.3 | 申请日： | 2017-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN106887469B | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 黄文勇;王肇中 | 申请（专利权）人： | 武汉光谷量子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
| 代理公司： | 湖北竟弘律师事务所 42230 | 代理人： | 张雯俐 |
| 地址： | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种雪崩二极管的外延结构，涉及半导体制造技术领域，包括衬底，衬底的上方形成有光吸收层，光吸收层的上方形成有雪崩增益层，雪崩增益层的上方形成有锌扩散层，锌扩散层由InP材料构成，雪崩增益层由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料、InxGayAl(1‑x‑y)As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料构成，其中InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料或InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料中0 | ||
| 搜索关键词： | 一种 雪崩 二极管 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种雪崩二极管的外延结构，其特征在于：包括衬底，衬底的上方形成有光吸收层，光吸收层的上方形成有雪崩增益层，雪崩增益层的上方形成有锌扩散层，所述锌扩散层由InP材料构成，所述雪崩增益层由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料、InxGayAl(1‑x‑y)As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料构成，其中InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料或InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1，InxGayAl(1‑x‑y)As材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。
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