[发明专利]一种雪崩二极管的外延结构及雪崩二极管的制造方法有效
申请号: | 201710175097.3 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN106887469B | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 黄文勇;王肇中 | 申请(专利权)人: | 武汉光谷量子技术有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L21/329;H01L29/06 |
代理公司: | 湖北竟弘律师事务所 42230 | 代理人: | 张雯俐 |
地址: | 430070 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: |
本发明公开了一种雪崩二极管的外延结构,涉及半导体制造技术领域,包括衬底,衬底的上方形成有光吸收层,光吸收层的上方形成有雪崩增益层,雪崩增益层的上方形成有锌扩散层,锌扩散层由InP材料构成,雪崩增益层由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料、InxGayAl(1‑x‑y)As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料构成,其中InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料或InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料中0 | ||
搜索关键词: | 一种 雪崩 二极管 外延 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种雪崩二极管的外延结构,其特征在于:包括衬底,衬底的上方形成有光吸收层,光吸收层的上方形成有雪崩增益层,雪崩增益层的上方形成有锌扩散层,所述锌扩散层由InP材料构成,所述雪崩增益层由In0.52Al0.48As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料、InxGayAl(1‑x‑y)As材料、InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料构成,其中InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)材料或InxGa(1‑x)AsyP(1‑y)的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1,InxGayAl(1‑x‑y)As材料或InxGayAl(1‑x‑y)As的成分渐变材料中0<x<1、0<y<1且0<(x+y)<1。
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