[发明专利]一种掩膜版、曝光方法及装置有效
申请号: | 201710175508.9 | 申请日: | 2017-03-22 |
公开(公告)号: | CN106647162B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 江俊波;魏小丹;闫虹旭;董小龙;张昭;王军才 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 11262 北京安信方达知识产权代理有限公司 | 代理人: | 林桐苒;李丹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种掩膜版、曝光方法及装置。该掩膜版上包括掩模图形区域,还包括:设置于所述掩模图形区域周围的图形标记所述图形标记包括第一组和第二组,分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧,所述第一组包括第二左标记和第三左标记,所述第二组包括第二右标记和第三右标记;且所述第二左标记大于第三右标记,所述第二右标记大于第三左标记。本发明实施例所述方案,通过设置图形标记,监控图形标记对应的光刻胶图形从而监控遮光挡板的位置是否异常来判断曝光是否正确。 | ||
搜索关键词: | 一种 掩膜版 曝光 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种掩膜版,所述掩膜版上包括掩模图形区域,其特征在于,还包括:设置于所述掩模图形区域周围的图形标记,所述图形标记包括第一组和第二组,分别设置于所述掩模图形区域相对的两侧,所述第一组包括第一左标记、第二左标记和第三左标记,所述第二组包括第一右标记、第二右标记和第三右标记,所述第二左标记大于第三右标记,所述第二右标记大于第三左标记,各图形标记的位置满足:/n所述第二左标记沿第一方向平移到所述第三右标记所在位置时,完全覆盖所述第三右标记,所述第二右标记沿所述第一方向平移到所述第三左标记所在位置时,完全覆盖所述第三左标记,且第一方向上,所述第三左标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二左标记与所述掩模图形区域的距离,所述第三右标记与所述掩模图形区域的距离大于所述第二右标记与所述掩模图形区域的距离,所述第三左标记与所述第二左标记的距离等于所述第三右标记与所述第二右标记的距离;/n所述第二左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一左标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离;/n所述第二右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离大于所述第一右标记与所述掩模图形区域在所述第一方向上的距离;/n所述第一左标记和第一右标记对应的曝光位置位于当前曝光的小板对应的遮光挡板覆盖当前曝光的小板时的正常覆盖范围之内;/n所述第一方向为水平方向或垂直方向。/n
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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