[发明专利]一种防电源反接防双向浪涌器件及其制造方法有效
申请号: | 201710175997.8 | 申请日: | 2017-03-21 |
公开(公告)号: | CN106972014B | 公开(公告)日: | 2019-07-19 |
发明(设计)人: | 邹有彪;刘宗贺;王泗禹;徐玉豹 | 申请(专利权)人: | 富芯微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/8222 |
代理公司: | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人: | 胡剑辉 |
地址: | 230000 安徽省合*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明属于半导体技术领域,尤其涉及一种具有防电源反接防双向浪涌器件,主要由防电源反接单元和瞬态抑制单元构成的三端子保护器件,所述防电源反接单元包括至少一个二极管D;所述瞬态抑制单元包括至少一个双向TVS瞬态抑制二极管和至少一个单向TVS瞬态抑制二极管器件。本发明的防电源反接防双向浪涌器件,当用电终端因为启停或者感性负载开关等动作产生浪涌电压时,单向TVS瞬态抑制二极管及双向TVS瞬态抑制二极管能对浪涌过电压进行钳位,从而防止用电终端负载对电源产生冲击,保证电源供电的纯净。可以只用一个芯片同时实现防电源反接及双向浪涌防护功能,同时能减小电源模块PCB板的面积,从而大大降低成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 电源 接防 双向 浪涌 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种防电源反接防双向浪涌器件,其特征在于,主要由防电源反接单元和瞬态抑制单元构成的三端子保护器件,所述防电源反接单元包括至少一个二极管D;所述瞬态抑制单元包括至少一个双向TVS瞬态抑制二极管和至少一个单向TVS瞬态抑制二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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