[发明专利]含异质元素的聚碳硅烷及其制备方法在审
| 申请号： | 201710178651.3 | 申请日： | 2017-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN108623812A | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 王谋华;程勇;周路路;吴永龙;张文发;刘伟华;张文礼 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C08G77/60 | 分类号： | C08G77/60 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 薛琦;尹若元 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含异质元素的聚碳硅烷及其制备方法，包括如下步骤：将含异质元素的化合物与聚碳硅烷的混合物进行辐照处理，得产物，即可。本发明的反应条件温和，反应设备简单，反应过程可控；在反应过程中异质元素不会升华流失，利用率高；同时，本发明的产物的分子量分布较窄、陶瓷产率高，具有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 异质元素 聚碳硅烷 制备 分子量分布 反应设备 反应条件 辐照处理 混合物 产率 可控 陶瓷 升华 应用 | ||
【主权项】：
1.一种含异质元素的聚碳硅烷的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：将含异质元素的化合物与聚碳硅烷的混合物进行辐照处理，得产物，即可。
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