[发明专利]基板晶片以及Ⅲ族氮化物半导体元件的制造方法有效
| 申请号： | 201710180536.X | 申请日： | 2017-03-24 |
| 公开（公告）号： | CN107305920B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 陈凯欣;黄信雄;李宛蓉;陈佩佳;戴永信 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种基板晶片以及Ⅲ族氮化物半导体元件的制造方法。其中由一六方晶系单晶材料所构成的基板晶片，且上述六方晶系单晶材料包含一c轴晶面、一a轴晶面、及一m轴方向，包含：一上表面，包含上述c轴晶面构成的一c轴平面；一第一侧边，与上述上表面连接，且自垂直于上述c轴平面方向观之，上述第一侧边实质为一弧线；以及一第二侧边，与上述第一侧边连接，且自垂直于上述c轴平面方向观之，上述第二侧边实质为一直线；其中，上述a轴晶面与上述m轴方向平行；其中，上述第二侧边与上述m轴方向不平行。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 以及 氮化物 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种由一六方晶系单晶材料所构成的基板晶片，且该六方晶系单晶材料包含一c轴晶面、一a轴晶面、及一m轴方向，包含：上表面，包含该c轴晶面构成的一c轴平面；第一侧边，与该上表面连接，且自垂直于该c轴平面方向观之，该第一侧边实质为一弧线，并具有一曲率中心；以及第二侧边，与该第一侧边连接；其中，该a轴晶面与该m轴方向平行；其中，该第二侧边与该曲率中心具有一最短距离构成的一线段，而该线段与该m轴方向不垂直。
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