[发明专利]HEMT器件及其制造方法有效
申请号: | 201710181293.1 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN107706238B | 公开(公告)日: | 2020-05-05 |
发明(设计)人: | 张新川 | 申请(专利权)人: | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
主分类号: | H01L29/778 | 分类号: | H01L29/778;H01L21/335 |
代理公司: | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人: | 李佳 |
地址: | 215300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种HEMT器件及其制造方法。该HEMT器件包括:衬底、位于衬底一侧并同层设置的缓冲层和阻挡层、位于阻挡层和缓冲层远离衬底一侧的有源层以及位于有源层远离阻挡层一侧的势垒层。其中,阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮其中的至少一种材料,阻挡层中超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿有源层向衬底的方向渐变且含有受主杂质。本发明提供的HEMT器件在阻挡层内形成3DHG。高浓度的3DHG与有源层的2DHG形成p‑n结,从而抑制了有源层中的2DEG注入到阻挡层,降低了阻挡层泄漏电流,另外3DHG使阻挡层的导带抬高,提高了2DEG的限域性,从而抑制了HEMT器件的“短沟道效应”。 | ||
搜索关键词: | hemt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种HEMT器件,其特征在于,包括:衬底;位于所述衬底一侧并同层设置的缓冲层和阻挡层;位于所述阻挡层和缓冲层远离所述衬底一侧的有源层;位于所述有源层远离所述阻挡层一侧的势垒层;其中,所述阻挡层包括铟铝镓氮、铝镓氮、铟铝氮、氮化镓和铝氮其中的至少一种材料,所述阻挡层中超过预设厚度的至少一部分的铝摩尔组分沿所述有源层向所述衬底的方向渐变且含有受主杂质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州能讯高能半导体有限公司,未经苏州能讯高能半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710181293.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类