[发明专利]一种固态光源的制备方法和固态光源有效
申请号: | 201710183218.9 | 申请日: | 2017-03-24 |
公开(公告)号: | CN106898618B | 公开(公告)日: | 2020-02-14 |
发明(设计)人: | 李海旭 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供了一种固态光源的制备方法和固态光源。所述显示面板的基板包括正反两面,在基板正面设置有薄膜晶体管,在基板反面直接制作的固态光源。通过本发明实施例提供的显示面板,基板正面设置有薄膜晶体管,基板反面直接制作固态光源,无需进行背光源和阵列基板的贴合,显示面板更轻薄。并且显示面板背面的固态光源不含有汞介质,显示面板更环保。 | ||
搜索关键词: | 一种 显示 面板 固态 光源 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固态光源的制备方法,其特征在于,所述方法包括:/n在基板表面沉积氮化镓形成氮化镓缓冲层;/n在所述氮化镓缓冲层上沉积合金,通过构图工艺制备固定线宽的电极,形成N型电极层;/n在所述N型电极层上沉积N型氮化镓形成N型氮化镓层;/n在所述N型氮化镓层上沉积铟氮化镓形成量子阱层;/n对所述量子阱层的不同区域掺杂不同的杂质;/n在所述量子阱层上沉积P型氮化镓形成P型氮化镓层;/n将所述N型氮化镓层、量子阱层、P型氮化镓层通过构图工艺形成与N型电极同宽的基色芯片;/n在所述P型氮化镓层上沉积合金,通过构图工艺制备与N型电极同宽的电极,形成P型电极层;/n使用填充介质填充相邻的两个基色芯片之间的间隙并覆盖P型电极层;/n在填充介质上沉积发光反射层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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